氮化铝，Aluminum nitride [AlN]；powder, 10 μm, ≥98%

说明

氮化铝（AlN）是一种具有六方纤锌矿晶体结构的非氧化物半导体材料。 它具有 6.12 eV 的宽直接带隙。 由于其非常高的导热性（300 W/(m.K)）和电阻率，AIN 是制造导热油脂和电缆绝缘材料的合适添加剂。 由于其无毒、优异的热、电、机械和化学特性，它还用于微电子、电致发光器件和传感器。

氮化铝可用作：
陶瓷材料用于制备用于建筑热管理系统的纳米封装相变材料。
基体与石墨烯薄片一起制备超复合材料，以提高其导热性能。
使用玻璃废料制备泡沫玻璃的发泡剂。
它还与钼一起用于制备陶瓷基复合材料以产生高能X射线。