氧化锗(IV)，Germanium(IV) oxide；≥99.99% trace metals basis

氧化锗（VI），也称为锗或二氧化锗，是一种白色或灰白色粉末。它是一种高熔点（1600 °C）的难熔金属氧化物，具有优异的耐化学性。此外，氧化锗（VI）具有优异的光电性能，使其成为半导体工业中有价值的材料。它具有大约 2.1 的高折射率，比许多其他半导体材料的折射率高，并且具有低吸收系数。这些特性使其适用于波导、抗反射涂层和高折射率对比度涂层等应用。此外，锗（VI）具有约 3.1eV 的高带隙，并且在电磁光谱的红外区域中具有相对高的透明度，这使得它可用于红外探测器、LED 和太阳能电池等应用。

 

无机纳米线的基材。[1]用于合成超高折射率和超低损耗的光波导。[2]